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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：Micro6?（SOT23-6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
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IRLMS2002GTRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRLMS2002GTRPBF
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：HEXFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1310pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：Micro6?（SOT23-6）
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