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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO262-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
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IPI80N06S3L-06 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPI80N06S3L-06
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
- 系列：OptiMOS?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.9 毫欧 @ 56A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 80μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：196nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9417pF @ 25V
- 功率 - 最大值：136W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：PG-TO262-3
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