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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO252-3-313
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
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IPD90N10S4L06ATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IPD90N10S4L06ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：90A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 90A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 90μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：98nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±16V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6250pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PG-TO252-3-313
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