- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-TO252-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
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IPD50R650CEATMA1 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IPD50R650CEATMA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:CoolMOS? CE
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):6.1A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):13V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):650 毫欧 @ 1.8A,13V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 150μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):342pF @ 100V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):69W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:PG-TO252-3
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