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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-7-12
- 技术参数：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
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IMBG120R060M1HXTMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IMBG120R060M1HXTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：CoolSiC?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：1.2kV
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：83 毫欧 @ 13A，18V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+18V，-15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1.145nF @ 800V
- FET功能：标准
- 功率耗散（最大值）：181W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PG-TO263-7-12
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