- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
- 技术参数:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
- 丰富的英飞凌公司产品,英飞凌芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
FZ1000R33HE3C1NOSA1 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FZ1000R33HE3C1NOSA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
- 系列:晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态:有源
- IGBT类型:沟槽型场截止
- 配置:单开关
- 电压-集射极击穿(最大值):3300V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):1kA
- 功率-最大值:1600000W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,1kA
- 电流-集电极截止(最大值):5mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies):190nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装:模块
- FZ1000R33HE3C1NOSA1优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
芯片采购网专注整合国内外授权Infineon代理的现货资源,轻松采购IC芯片,是国内专业的芯片采购平台