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  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
  • 技术参数:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
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FZ1000R33HE3C1NOSA1 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FZ1000R33HE3C1NOSA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:单开关
  • 电压-集射极击穿(最大值):3300V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):1kA
  • 功率-最大值:1600000W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,1kA
  • 电流-集电极截止(最大值):5mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):190nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
  • FZ1000R33HE3C1NOSA1优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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