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Infineon
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  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:单端场效应管,PG-TO247-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
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IPW50R399CP 技术参数详情:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPW50R399CP
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):560V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):399 毫欧 @ 4.9A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 330μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:83W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:PG-TO247-3
  • IPW50R399CP优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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