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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:模块
- 技术参数:MOSFET MODULE 1200V
- 丰富的英飞凌公司产品,英飞凌芯片采购平台
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DF23MR12W1M1PB11BPSA1 技术参数详情:
- 制造商产品型号:DF23MR12W1M1PB11BPSA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET MODULE 1200V
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:EasyPACK?
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:碳化硅(SiC)
- 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
- 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tj)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 25A,15V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 10mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):62nC @ 15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1840pF @ 800V
- 功率-最大值:20mW
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装:模块
- DF23MR12W1M1PB11BPSA1优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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